CMOS、BSI、堆叠式：传感器技术演进历史

内容待添加 - 本文将追溯传感器技术从CMOS到BSI再到堆叠式传感器的发展历程，检视关键创新及其对图像质量的影响。

文章大纲

1. 传统CMOS基础

• 基本CMOS传感器架构
• 早期限制和挑战
• 初始性能特征

2. 背照式(BSI)技术突破

• BSI技术原理
• 光线收集能力改进
• 相比传统CMOS的性能优势

3. 堆叠式传感器创新

• 多层传感器架构
• 读取速度改进
• 果冻效应减少

4. 制造商实施方案

• 索尼IMX系列发展
• 佳能双像素AF集成
• 竞争和专利格局

5. 未来技术路线图

• 3D堆叠可能性
• 量子点集成
• 人工智能处理
• 下一代传感器预测

本文结构已准备就绪，可进行深入内容开发。